sábado, 15 de marzo de 2014

24 CUESTIONES DE TRANSISTORES

1 º Un transistor no está constituído porción dos uniones PN, polarizadas:
a)      Ambas inversamente
b)      Una directly Y OTRA inversamente
c)       Ambas directly

2 º La Corriente de electrones Que circula Por La base de la ONU de transistor NPN:
a)      Es del Orden del 20% en total de la
b)      Es del Orden del 4% en total de la
c)       porción pasa de Es La Que el total del transistor

3 º El transistor de efecto, coinci en:
a)      Hacer ¡Pasar Una Débil Corriente Por Una unión PN polarizada inversamente
b)      Hacer ¡Pasar Una Débil Corriente Por Una unión PN polarizada directly
c)       Hacer ¡Pasar Una gran Corriente Por Una unión PN polarizada inversamente, polarizando directly La Otra unión

4 º La barrera de potencial Que se crea en la ONU Tiene transistor de silicio sin valor Aproximado de:
a)      0.2V
b)      0.7V
c)       1.3V

5 º En la Operación de las Naciones Unidas transistor, el diodo colector-base Tiene:
a)      directa Polarización
b)      Polarización inversa
c)       La Misma Que emisor-base

6 º La Ganancia de Corriente de la ONU transistor es La Razón Entre:
a)      Corriente de colector y Emisión
b)      Corriente de emisor de base y
c)       Corriente de colector y de base

8 º Si la Ganancia de Corriente = 200 e I C = 100 mA, la Corriente de es actualmente:
a)      0,5 mA
b)      2 mA
c)       102mA

9 º Si β = 100 e I E = 300 mA, la Corriente de es actualmente:
a)      0.33mA
b)      2.97mA
c)       3.3 mA

10 º En Un transistor NPN SE MIDE V BE = 0,7 V y V CE = 10V.La V CB es:
a)      10.7V
b)      -9.3V
c)       9.3V

11 º ONU La Potencia disipada porción transistor es approximately Igual que un C multiplicado by:
a)      V BE
b)      V CB
c)       V CE

12 º Si en el emisor del transistor de NPN SE de las Naciones Unidas Miden 5V, ¿de Qué Tensión en sí mide en la base?
a)      5.7V
b)      4.3V
c)       5V

13 º Si en la base de la ONU de transistor PNP sí Miden 5V, ¿de Qué Tensión en sí mide en el emisor?
a)      5.7V
b)      4.3V
c)       5V

14 º Si V CB = 5.1V Transistor PNP en un, V CE es:
a)      5.1V
b)      4.4V
c)       5.8V

15 º V CB = 5.1V En Un transistor NPN, V CE es:
a)      5.1V
b)      4.4V
c)      5.8V

16 º En Este circuito el transistor está en saturación. ¿Cual esla I C?

a)      20mA
b)      5.84mA
c)      6.06mA

17 º ¿Cual es el valor V de C ?

a)      1,8 V
b)      16.11V
c)      10V

18 º      La I porción Pasa Qué es el LED:

a)      13 mA
b)      50 mA
c)      30 mA

19 º Para saturar el transistor, V B servi Tiene Que:

a)      2.4V
b)      7.59V
c)      8.22V

20 º el valor de R ¿Cual es B ?

a)      590K
b)      2K
c)      143K

21 º ¿Cual es el valor V de C ?

a)      3.02V
b)      5.21V
c)      8.89V

22 º ¿Cual es el valor V de C ?

a)      1.36V
b)      3.27V
c)      1,09

23 º ¿Cual es el valor V de C ?

a)      9.59V
b)      5.4V
c)      8.34V

24 º Para Qué El Punto de Trabajo (Q) Este es el punto de la recta Medio de Carga, R B servi Tiene Que:

a)      4k
b)      193k
c)      386K

25 º ¿Cual es Contacto la I Que Pasa Por El LED?


a)      20mA
b)      27 mA
c)      22mA

RESPUESTAS

1 º b)

2 º b)
Como I C es Mayor Que Yo B , sí descarta La Respuesta c, y el 20% es del mucho.

3 º c)
ESTA RESPUESTA ESTA mal PORQUE LA UNION tendria Queser NP, Pero es La Más Correcta de las Tres

4 º b)
ESTO SE Debe a Que Equivale un diodo ONU

5 º b) / c)

La Respuesta c also seria Correcta PORQUE ESE Caso en la Intensidad Iría a la contra

6 º c)
β = I C / I B

8 º a)
200 = 100 mA / I B => I B = 100mA/200 = 0,5 mA

9 º b)
I B = I C / 100 => I C = 100 I B

I E = I B + I C => I E = 101i B => I B = 300mA/101 = 2,97 mA

10 º c)

10-0,7 = 9,3

11 º c)
P = V x I => P = V C E x I E , Pero yo EI C => P = V C E x I C

12 º a)

5 +0,7 = 5,7

13 º a)
5 +0,7 = 5,7

14 º c)
5,1 +0,7 = 5,8

15 º b)
5-0,7 = 4,4

16 º c)
En saturación IC = ( VCC - VCE) / R C  = 2OV/3K3 = 6,06 mA

17 º c)
V E = 2,5 V-0, 7 V = 1,8

I C es CASI I E Por Lo Que Yo C = 1,8 V/1K8 = 1 mA
Una Vez de Tenemos la I C sacamos la V C
V C = 20V-10K x 1mA = 10V

18 º a)
VE=2V-0,7V=1,3V

IC≈IE=1,3V/100=13mA

19 º b)
IC=(24V-2V)/1K=22mA
IB=22mA/ 150= 0,15mA
VB=0,15mA x 47K+0,7V=7,59V

20 º a)
IE=2,5V/500=5mA
IB=5mA/250=0,02mA
RB=(15V-0,7V-2,5V)/0,02mA=590K

21 º b)
VB=10 x 100K/(330K+100K)=2,3V
VE=VB-0,7V=1,6V
IC≈IE=1,6V/51K=0,03mA
0,03mA x 150K=4,78V
VC=10V-4,78V=5,21V

22 º a)
VB=10 x 33K/(33K+50K)=3,97V
VE=VB-0,7V=4,67V
IC≈IE=(10V-4,67V)/39K=0,136mA

VC=0,136mA x 10K=1,36V

23 º c)
0=10K x IB+0,7V+10K x 100IB-15V => IB=(-0,7V+15V)/(10K+1000K)=14,3V/1010K=0,014mA
IC=100 x IB=1,4mA
VC=15V-1,4mA x 4,7K=8,34V

24 º c)
IC MAX=20V/2K=10mA
IB=5mA/100=0,05mA
RB=(20V-0,7V)/0,05mA=386k

25 º b)
vb=12 x 620/(620+680)=5,723V
VE=VB+0,7V=6,423V

IC≈IE= (12V-6,423V)/200=27,88mA

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